ESC靜電吸盤覈心產品介紹
2026-01-23
ESC靜電卡盤是電晶體製造領域的覈心晶圓夾緊裝置，其基本原理是靜電吸附。 它通過施加高電壓形成靜電場，並通過庫侖力或約翰遜-拉貝克力實現晶片的非接觸固定，是电浆蝕刻、離子注入和薄膜沉積等真空工藝中不可或缺的關鍵部件。該產品適用於惡劣的工藝環境，包括非磁性條件和10℃的超高真空 ⁻⁵ Pa及以下，可以穩定吸附晶片、藍寶石和玻璃等各種介電材料。 它支持雙極、多極和交叉指型電極的定制設計，吸附表面的整體平面度精度達到1μm以內，平行度優於5μm。 在標準吸附電壓下，吸附力≥10N，剩餘吸附力保持在60%以上24小時，能够長時間保持穩定的夾緊效果。在結構和效能方面，ESC靜電卡盤塗有高導熱陶瓷薄膜，如氮化鋁和氮化矽，結合了優异的耐电浆腐蝕性和機械強度。 一些高端產品集成了多區溫度控制電極和背面氦氣冷卻系統，實現了晶片溫度的精確均勻調節，避免了熱應力引起的晶片翹曲或薄膜沉積不均勻。 同時，其吸附力分佈均勻，無局部應力點，能有效保護超薄晶圓和精密光學元件等易碎資料的表面完整性，消除機械夾緊造成的劃痕和變形問題。現時，ESC靜電吸盤已成為超大規模集成電路製造設備的核心部件，廣泛應用於晶圓計量、電子束光刻和電晶體晶片封裝等工藝。 此外，電極數量、平面度規格和外形尺寸等參數可以根據工藝要求進行定制設計，以適應8英寸和12英寸等不同規格晶圓的加工場景。...
ESC靜電卡盤科技優勢及工業應用分析
2026-01-23
ESC靜電卡盤作為一種替代傳統機械夾緊和真空吸附的新型精密夾緊科技，憑藉其獨特的科技優勢，已大規模應用於電晶體、面板顯示器、太陽能光伏和精密光學等高端製造領域，並已成為現代超淨薄板加工的覈心載體。與傳統的夾緊方法相比，ESC靜電卡盤的核心技術優勢體現在四個主要方面。第一，非接觸無應力夾緊：固定是通過靜電力實現的，沒有物理接觸，完全避免了機械夾具造成的晶片損壞和邊緣排斥效應，適用於加工厚度小於50μm的超薄晶片和GaN、SiC等脆性半導體材料。二、全環境適應性：可在大氣壓、超高真空、电浆等各種工作條件下穩定工作，可吸附導體、電晶體、絕緣體和多孔資料，應用範圍極其廣泛。第三，低能耗、高潔淨度：靜電吸附的能耗遠低於真空吸附設備。 此外，在吸附過程中，工件背面不會產生電勢，囙此不會吸附周圍的灰塵和顆粒，滿足電晶體工藝的超清潔要求。第四，可控且易於操作：它能够實現快速吸附和釋放，且夾緊力穩定且可精確調節。 配合定制控制器，可以最大限度地减少鬆開時間，提高整體工藝操作效率。在工業應用中，ESC靜電卡盤是前端電晶體製造的核心部件。在蝕刻、離子注入和CVD/PVD薄膜沉積等過程中，它們確保了晶片在極端環境下的位置固定和溫度均勻性，這直接影響了晶片製造的精度和良率。在面板行業，它們用於真空層壓過程中玻璃基板的平夾，以避免層壓過程中出現皺紋和氣泡。 在太陽能光伏和精密光學領域，它們可以實現矽片和光學透鏡等薄工件的軟支撐和高精度加工。同時，ESC靜電卡盤可以與真空熱壓機等設備協同工作。 在先進電晶體封裝和小晶片集成等新興工藝中，通過非接觸固定、真空、精確溫度控制和均勻壓力等多物理場的協同作用，解决了傳統工藝的氧化、氣泡和應力損傷等瓶頸問題。 隨著電晶體工藝向小型化和集成化方向發展，ESC靜電卡盤正朝著高精度、高導熱性和模組化定制的方向陞級。...
ESC靜電吸盤的工作原理
2026-01-23
ESC靜電吸盤的覈心是利用靜電感應和電場力實現晶片和玻璃基板等薄工件的非接觸式精確固定。 本質上，它是一種可控的電容吸附系統，適用於真空和电浆環境等惡劣的電晶體工作條件。 同時，它通過不同的吸附機制適應各種工藝要求。它具有三明治狀結構：底層是用於支撐和電路集成的基板，中間層由金屬電極（單極、雙極或多極）組成，表層覆蓋著由氮化鋁和氧化鋁等資料製成的絕緣導熱介電層。 在操作過程中，工件充當電容器的上板，內寘電極充當下板，介電層充當絕緣介質，形成完整的電容結構，為電場產生奠定基礎。在實際應用中，吸附力主要來源於三種機制，每種機制都適應不同場景的需求。 首先是庫侖力吸附，適用於理想的絕緣介質層。 當施加高壓直流電壓時，電極產生電場，在工件背面感應出相反的電荷，由相反電荷產生的庫侖力實現吸附。 該機制提供均勻的吸附力，防止工件變形，適用於需要高平面度的工藝。 庫侖力的大小與介電常數、施加電壓和吸附面積呈正相關，與介電層的厚度呈負相關。 二是Johnson Rahbek（J-R）力吸附，主流工業機理，適用於摻雜電晶體介質層（具有弱漏電流）。 電荷在接觸表面的微小間隙中積累，形成微電場，合力為J-R力。 這種機制需要較低的電壓（500-800V），並產生更强的吸附力，可以克服氦氣冷卻的壓力，適應接觸表面的微小粗糙度。 第三種是梯度力吸附，常見於交替多電極排列的設計中。 正負電極形成非均勻電場，工件兩側的應力差產生單向合力。 通過優化電極間距和介電層厚度，可以增强吸附力，使其適用於特殊形狀的工件。以電晶體蝕刻工藝為例，整個工作過程分為三個步驟，同時實現工件固定和溫度控制。 步驟1：工件定位——將晶片轉移到卡盤介電層的表面，並調整到裝配位置。 步驟2：靜電吸附——控制器向電極施加設定電壓（單極模式下工件充電需要电浆輔助，而雙極模式下工件直接極化），通過庫侖力或J-R力實現吸附。 吸附力必須大於背面氦氣冷卻壓力，以確保牢固固定。 步驟3：處理和釋放-在處理過程中，介電層導熱，通過將氦氣與內寘冷卻系統協調來調節晶片溫度。 處理後，切斷電壓並施加反向靜電消除電壓以消除殘留電荷並避免工件粘附，然後進行晶片轉移。基於非接觸吸附原理，ESC靜電吸盤從根本上解决了傳統機械夾緊造成的劃痕和變形問題，以及超高真空環境下真空吸附失敗的問題。 同時，介電層的資料特性和多區電極設計使吸附過程中能够同步實現均勻的溫度控制，完美滿足电浆蝕刻、離子注入和薄膜沉積等覈心電晶體工藝對精度和穩定性的嚴格要求。...
影響ESC靜電吸盤吸附力的因素有哪些？
2026-01-23
影響ESC靜電吸盤吸附力的覈心因素可分為四類：資料特性、結構參數、操作參數和工作環境。 這些因素相互關聯，直接决定了吸附的穩定性、均勻性和適應性，詳細分析如下： 1.資料特性資料是吸附力的基本保證，其覈心影響在於電荷傳導和電場形成的影響。電介質層資料和效能介電層的介電常數和體積電阻率直接决定了吸附機理和吸附力的大小。 介電常數越高，電場越强，吸附力（尤其是庫侖力）越大； 氮化鋁陶瓷具有比氧化鋁更高的介電常數，並具有更好的吸附效能。 體積電阻率必須與吸附機制精確匹配：對於J-R力卡盤，應將其控制在10 ⁹–10 ¹²Ω·cm。 過高的電阻率會使卡盤傾向於表現出庫侖力特性（弱吸附力和高電壓要求），而過低的電阻率會導致過大的漏電流和隨後的吸附力衰减。 此外，介電層的純度和緻密性會影響電荷累積容量； 雜質或孔隙會導致電場畸變，降低局部吸附力。介質層厚度吸附力與介電層的厚度呈負相關（庫侖力公式中的吸附力≠1/d²）。 較薄的層會導致更集中的電場強度和更强的吸附力，但過薄的層將降低絕緣效能並新增擊穿風險。 囙此，必須結合電壓參數來達到平衡，傳統的工業厚度範圍為0.1至0.5mm。工件資料特性工件的電導率和介電效能影響電荷感應的效率。 導電/電晶體工件可以快速感應電荷，並確保穩定的吸附力； 絕緣工件具有較慢的電荷感應速度並且需要與特定的電極設計（例如多極）匹配以增强吸附。 多孔或粗糙表面的工件會减少有效接觸面積，削弱局部吸附力，這需要通過表面微觀結構優化來補償。 2.結構設計因素結構參數决定電場分佈和力傳導效率，覈心關注電極和整體精度。電極設計電極類型（單極/雙極/多極）會影響電場覆蓋範圍。 單極電極具有電場集中、吸附力强（在相同電壓下優於雙極電極）但均勻性差的特點； 雙極/多極電極能够實現更均勻的電場分佈，但需要减小電極間距以補償吸附力。 電極的數量和排列密度（例如，交叉電極間距）直接影響局部吸附力——間距越小，電場疊加效應越明顯，吸附力越集中。 此外，電極資料（銅、鎢等）的電導率影響電場響應速度，間接影響吸附力建立的效率。吸附表面精度吸附表面整體平整度和平行度的偏差會導致工件裝配不均勻、局部接觸間隙過大、電場洩漏和吸附力衰减。 在電晶體工藝中，當平面度超過1μm，平行度超過5μm時，可能會出現邊緣吸附力不足和工件翹曲，需要將精度控制在標準範圍內。結構密封性能對於真空和氦氣冷卻的工作條件，卡盤的密封結構會影響氣體洩漏。 過高的背面氦氣壓力會抵消部分吸附力。 囙此，有必要通過優化密封設計（例如密封環資料和凹槽結構）來减少氣體滲透，以確保穩定的吸附力。 3.操作參數因素操作參數直接調節吸附力的大小和穩定性，覈心關注電壓、溫度控制和靜電消除設定。施加電壓吸附力與施加電壓的平方呈正相關（庫侖力和J-R力都遵循這一規律）——電壓越高，吸附力越强。 然而，電壓必須與介電層的絕緣能力相匹配，以避免擊穿。 庫侖力卡盤需要3000-4000V的高電壓，而J-R力卡盤只需要500-800V的低電壓。 過電壓操作會加速介電層的老化，反而降低吸附力的穩定性。電壓施加持續時間和模式長期施加電壓容易導致電荷積累，導致剩餘吸附力...
如何提高ESC靜電卡盤的穩定性和安全性
2026-01-23
為了提高ESC靜電卡盤的穩定性和安全性，必須從操作控制、日常維護、結構優化和環境適應四個方面建立全過程保證體系。 該系統確保了吸附效能的持續穩定性，操作、工件和設備的安全保護，避免了電荷積聚和資料磨損等潛在風險。 1.精確控制操作參數，鞏固穩定覈心合理調節操作參數是保持吸附穩定性和避免潜在安全隱患的基礎，必須結合吸附機理和工藝場景準確設定。電壓參數的精確匹配根據卡盤類型（庫侖力/J-R力）設定額定電壓，嚴禁過電壓操作——庫侖力類型控制在3000-4000V以內，J-R力類型限制在500-800V以內，以避免介電層擊穿和過度電荷積聚。 配備電壓監測模塊，實时迴響電壓波動（允許偏差±5%），當波動超過限值時自動切斷電源，防止吸附力突然變化或絕緣故障。溫度控制和壓力平衡對於與氦氣冷卻系統集成的卡盤，精確調整背面氦氣壓力，以確保其低於吸附力閾值（通常保留20%的安全裕度），避免因氣體壓力抵消吸附力而導致的工件偏移。 通過多區域溫度控制模塊保持卡盤的溫度均勻性，並將工作溫度控制在介電層的公差範圍內（常規-20℃~150℃）。 這防止了由於高溫導致的介電層電阻率降低和漏電流新增，或由於低溫導致的電荷遷移緩慢。規範吸附/釋放程式吸附過程中採用梯度升壓模式，避免電壓突然升高引起的電場衝擊； 在釋放過程中，首先施加反向靜電消除電壓（幅度為工作電壓的50%-80%，持續1-3s），以完全消除殘留電荷，消除工件粘附和靜電擊穿的風險。 對於單極卡盤，同步監測电浆密度，以確保工件的有效充電，避免不安全的吸附。 2.加强日常維護，延長使用壽命，規避風險定期維護可以减少資料磨損，及時排除隱患，是保證長期穩定運行的關鍵。電介質層的定期檢查和清潔每週檢查介電層的表面狀況，並通過光學顯微鏡檢查劃痕、磨損和等離子腐蝕痕迹。 如有損壞或塗層剝落，應及時更換介電層，避免電場畸變； 用蘸有無水乙醇的無絨布輕輕擦拭，以去除表面顆粒和殘留污染物。 不要使用硬工具刮擦，以防止損壞介電層的絕緣層。電極和電路系統的維護每季度檢查電極導電性和密封性，排除電極氧化、接觸不良和線路老化問題，更換損壞的密封圈和老化的電線； 定期校準電壓控制器和電流監測模塊，以確保參數迴響準確，避免因檢測錯誤造成的誤操作。剩餘電荷和效能校準每月進行吸附力和剩餘電荷測試。 如果吸附力衰减超過30%，請排除介電層磨損和電壓偏差等問題； 如果剩餘電荷超過標準，則優化靜電消除參數或檢修靜電消除模塊。 同時記錄測試數據，建立磨損趨勢記錄，提前預測故障。 3.優化結構和適應性設計，提高本質安全性從結構層面優化適應性，可以减少外部因素對穩定性的影響，增强安全防護能力。結構精度和資料適應性根據工藝要求優化吸附表面的平整度（≤1μm）和平行度（＜5μm），確保工件裝配均勻，避免局部應力不平衡； 選擇高穩定性介電層資料（如氮化鋁陶瓷）並與表面强化塗層（PECVD/PVD塗層）相匹配，以提高电浆耐腐蝕性和耐磨性，延長使用壽命。安全防護結構陞級配備過壓、過流和漏電保護裝置，當觸發异常時，可以快速切斷電源並報警； 安裝工件偏移監測感測器，實时迴響工件位置，發生偏移時立即停止機器，防止工件掉落...
VAT真空閥的產品特性和覈心分類
2026-01-23
VAT真空閥是真空系統中區域隔離和氣流控制的關鍵部件，專為涵蓋高真空、超高真空和極端真空環境的各種真空工作條件而設計。 憑藉其複雜的設計和穩定的效能，它們已成為精密製造和科研實驗等領域真空系統的核心部件。 作為一家源自瑞士的專業真空閥品牌，VAT始終專注於部件可靠性和工作條件適應性，以構建滿足嚴格工藝要求的產品體系。VAT真空閥的覈心特性體現在多個方面。 閥體大多由不銹鋼和鋁合金等耐腐蝕資料製成，有些型號塗有特殊層，可以抵抗腐蝕性和有毒工藝氣體的侵蝕，適應不同溫度的工作條件。 某些產品可以承受400°C以上的高溫，滿足真空爐和薄膜沉積等特殊場景的需求。 密封性能是其覈心優勢之一：通過金屬密封或彈性體密封科技進行優化，洩漏率可低至10 ⁻ ¹²mbar·L/s，可穩定保持超高真空環境的氣密性。 多種驅動模式可供選擇，包括手動、氣動和電動； 氣動和電動模型能够快速回應，在毫秒內完成打開和關閉動作，在系統故障時為緊急隔離提供保護。 此外，所有產品均在潔淨室條件下製造，結構優化可减少摩擦引起的顆粒排放，避免污染真空環境。基於功能和結構差异，VAT真空閥形成了豐富的分類，以適應不同的應用場景。 真空閘閥是常用的具有滑動門機构的隔離部件。 它們具有開放時完全暢通無阻的橫截面、低流阻和小安裝深度。 有些型號適用於1×10的超高真空環境 ⁻¹⁰ 毫巴，使其成為需要穩定隔離的工藝環節的理想選擇。 真空蝶閥結合了控制和隔離功能，通過旋轉門板調節氣流。 它們安裝緊湊，可實現平穩的氣流控制，並可適應各種真空壓力。 真空角閥是模組化結構、維護方便、密封性能穩定的通用產品，可以滿足大多數傳統真空系統的需求。 全金屬真空閥專為極端工作條件而設計，採用金屬對金屬密封方法，可以抵抗極端壓力、溫度和輻射的影響，適用於核聚變裝置和空間類比等特殊場景。 此外，還有氣體計量閥、快關閥和止回閥等特殊型號，分別對應精確氣流計量、緊急保護和防回流污染等特定要求。 ...
VAT真空閥的科技優勢及行業應用場景
2026-01-23
憑藉差异化的科技設計和全面的場景適應性，VAT真空閥在各個行業的真空系統中發揮著關鍵作用。 他們的科技優勢不僅體現在基本效能上，還體現在為不同工藝的痛點開發的定制解決方案上，同時確保系統穩定性和長使用壽命。在科技設計方面，VAT真空閥通過多項專利技術提高了綜合效能。 運動曲線控制科技優化了閥門的打開和關閉節奏，降低了關閉點附近的速度，以减少振動和衝擊，避免產生額外的顆粒，保護敏感的工藝環境。 有針對性地優化密封結構，根據資料特性和工藝要求選擇密封方法，不僅保證了關閉時的氣密性，而且减少了密封件的磨損，延長了部件的使用壽命。 智慧控制模塊的集成是科技亮點之一：通過感測器和PLC控制系統的聯動，可以即時監控閥門的運行狀態，支持遠程控制和自動化集成，適應現代生產線的運行需求。 一些型號還具有定制功能，允許根據工作條件要求調整閥體資料、密封類型和驅動模式等參數，滿足非標準真空系統的應用需求。 同時，所有產品都經過嚴格的性能測試，在長期和高頻運行中保持穩定的效能，降低故障停機的可能性。在行業適應性方面，VAT真空閥已深度融入多個領域的覈心工藝。 在電晶體製造業中，蝕刻、離子注入和PVD/CVD等工藝對真空環境的純度和穩定性有嚴格的要求。 VAT閥門可以快速隔離反應室，防止污染氣體擴散，同時减少顆粒物排放，避免影響晶圓加工質量。 在光伏行業中，太陽能電池的塗層過程依賴於穩定的真空環境； 該閥門能够及時響應壓力波動，保持工藝一致性，適應大尺寸基板的生產需求。 對於科研領域的同步輻射光源和粒子加速器等需要維護超高真空環境的設備，VAT閥門可以有效阻斷外部氣體的干擾，保證實驗精度。 在醫療和製藥行業，真空滅菌和冷凍乾燥設備利用閥門的快速關閉功能來防止細菌入侵，確保產品的無菌安全。 此外，在真空乾燥、晶體生長、電池生產和質譜分析等場景中，VAT真空閥可以通過相應的選型和技術改造滿足所有工藝環節的真空控制要求。為適應行業科技陞級，VAT真空閥不斷反覆運算優化。 為應對自動化生產的趨勢，他們的智慧監控和遠程控制能力得到了加强，以支持與整個系統的聯動； 為了滿足極端工作條件的需要，開發了更多耐腐蝕和耐高溫的資料和結構設計； 為了滿足精密製造的精細化需求，對產品模型進行了精細化處理，以提高氣流控制的穩定性和可重複性。 憑藉科技積累和深入的場景開發，VAT真空閥已成為各行業真空系統升級的重要支撐部件。 ...
杜邦Kalrez O型圈的應用場景是什麼？
2026-01-23
杜邦Kalrez O型圈因其耐化學腐蝕性、寬溫度範圍適應性和低污染特性而適用於各種行業的惡劣工作條件。 它們在需要長期穩定密封和避免污染和洩漏風險的關鍵過程中發揮著關鍵作用。 其具體應用場景如下： 1.電晶體製造作為電晶體工藝的覈心密封元件，Kalrez O型圈適用於各種电浆工藝和真空環境，涵蓋了整個晶片製造過程中的所有關鍵環節。 在沉積過程中，對於高密度电浆化學氣相沉積（HDPCVD）、电浆增强化學氣相澱積（PECVD）和原子層沉積（ALD）等場景，它們可以承受包括TMS、TEOS、NF在內的工藝氣體 ₃ and O₂ 以及高溫環境（250℃至310℃）。 某些牌號，如Kalrez®9600，具有低腐蝕和低重量損失的特點，滿足高純度真空應用的要求，减少顆粒產生和脫氣，並確保晶圓加工質量。 在蝕刻和灰化過程中——導體是否蝕刻（150℃至225℃，與CF等介質接觸 ₄ 和HBr），介電蝕刻（100℃至180℃，與CF等介質接觸 ₄ SF ₆), 或灰化/剝離過程（180℃至250℃，與O等介質接觸 ₂ 和NH ₃)— 相應的等級，如Kalrez®9100和9300，可以抵抗电浆侵蝕，延長密封使用壽命，减少設備維護頻率。 此外，它們還適用於工藝室門、閘閥、氣體筦道、石英窗和其他部件的密封。 所有用於電晶體應用的Kalrez產品都經過專有的超潔淨處理和潔淨室處理，符合嚴格的清潔標準。 2.石油和瓦斯Kalrez O型圈適用於石油和瓦斯勘探、運輸和加工的複雜工作條件，可以特別應對高溫、高壓、腐蝕性介質和壓力波動的挑戰。 對於鑽井和完井工具等井下設備，Kalrez®0090等牌號通過了嚴格的快速氣體減壓（RGD）測試，並符合NORSOK M-710和ISO 23936-2等標準。 它們可以承受含硫化氫的酸性介質、高溫（高達250℃）和極端壓力變化，而不會出現內部開裂、起泡或其他缺陷，確保井下設備的長期運行。 對於地面設備，它們用於密封泵、閥門、壓縮機和其他部件，抵抗原油、瓦斯和各種化學處理劑的侵蝕，减少揮發性氣體洩漏，適應頻繁的壓力迴圈條件，從而降低維護和更換成本。 3.製藥和生命科學Kalrez O型圈符合製藥和生物技術行業對衛生合規性、耐消毒性和低污染的嚴格要求，適用於各種無菌工藝環節。 在就地清潔（CIP）和就地滅菌（SIP）程式中，Kalrez®6221等等級可以承受160℃的高溫蒸汽和各種清潔和消毒劑，可選取含量極低（每平方英寸小於0.2毫克）。 它們符合美國食品藥品監督管理局、藥品生產品質管制規範、3A衛生標準和其他標準，防止藥品和設備污染。 它們適用於注射用水（WFI）系統、無菌泵、反應器、灌裝設備和其他部件的密封。 它們的表面處理與不銹鋼設備相容，减少細菌生長，確保生產過程的無菌性和合規性，延長密封週期和切割設備的停機時間，以進行消毒和維護。 4.航空航太Kalrez O型圈可適應航空航太設備的極端工作條件，為關鍵部件提供可靠的密封保護。 在飛機發動機系統中，它們用於密封部件，以抵抗高溫、航空燃料、液壓油和潤滑劑的侵蝕，在溫度變化和振動劇烈的環境中保持彈性和密封完整性，並...
Kalrez O型圈的耐化學腐蝕性是什麼？
2026-01-23
耐化學性範圍廣Kalrez O型圈可以抵抗1800多種化學物質，包括強酸（如濃硝酸）、強鹼（如氫氧化鈉）、有機溶劑（如甲苯、丙酮、二氯甲烷）、醚、酮、酯、苯環溶劑、强氧化劑、胺類化合物、燃料、油和油脂等。其全氟主鏈結構沒有活性反應位點，從根本上消除了腐蝕失效的可能性。 耐化學腐蝕性驗證膨脹試驗：在甲苯、丙酮和二氯甲烷的混合溶液中浸泡6個月後，Kalrez O型圈的體積幾乎沒有變化，而其他橡膠則會發生嚴重變形。對比試驗：當Kalrez和氟橡膠浸入丙酮和甲苯等有機介質中時，氟橡膠在16分鐘後會顯著膨脹，而Kalrez保持穩定。 耐化學腐蝕的優點遠優於普通橡膠的耐腐蝕性：Kalrez即使在極端化學環境中也能保持其密封性能，而普通橡膠可能會因分子鏈斷裂或交聯結構損壞而發生體積膨脹和密封失效。比其他全氟彈性體具有更好的耐腐蝕性：Kalrez在壓縮後具有優异的恢復效能，可以在長期壓力下更好地保持其形狀，從而確保長時間的緊密密封。 耐化學腐蝕效能的應用半導體行業：用於蝕刻機和CVD設備的耐腐蝕密封，减少工藝污染（低顆粒產生和低可提取物），並在惡劣的电浆環境中耐降解。石油和瓦斯行業：深井鑽井設備的高壓密封，可承受硫化氫和二氧化碳等腐蝕性介質。化學工業：用於反應器、筦道、閥門和其他設備的密封，以防止化學品洩漏和腐蝕。醫療和食品行業：美國食品藥品監督管理局認證的等級（如Kalrez 6230）用於製藥和食品加工設備的密封，以確保產品安全和純度。 ...
狹縫閥門——結構原理和覈心特性
2026-01-23
狹縫閥門是真空系統中用於腔體隔離和開關控制的特殊部件。 它以適應傳輸腔和工藝腔之間的矩形“傳輸狹縫”開口而命名，屬於閘門驅動隔離閥的範疇。 憑藉其緊湊的結構和可靠的密封性能，它已成為高端製造和科研領域真空系統的關鍵部件。 其覈心設計是圍繞真空環境的密封和隔離要求而開發的，考慮了開閉響應和清潔度控制，適用於各種惡劣的工作條件。從工作原理上講，狹縫閥門通過閘板的線性運動實現流路的開關，在腔體之間形成隔離屏障。 在關閉狀態下，閘板緊密地附著在閥座上，氣體流動被結構壓力和密封件的特性所阻擋，以保持腔內的真空狀態。 在打開狀態下，閘板垂直上升和下降到閥腔的頂部，使流動路徑完全暢通，並為晶片和基板等工件的轉移或氣體迴圈提供通道。 支持氣動、電動等驅動管道，可根據系統的自動化要求進行選擇。 一些型號可以實現快速打開和關閉動作，以適應高頻工作條件下的操作節奏。狹縫閥門的結構設計具有明顯的針對性。 閥體主要由不銹鋼等耐腐蝕資料製成，可以抵抗工藝介質和環境的侵蝕，延長使用壽命。 密封結構經過優化，配合特殊密封件，實現低洩漏效能，可滿足高真空和超高真空環境的氣密性要求。 為滿足清潔度要求，該產品採用低顆粒產生設計，减少門板運動和摩擦產生的雜質，避免污染真空環境。 同時，整體結構緊湊，安裝深度適應狹縫開口的空間限制，可以無縫集成到傳輸腔和工藝腔的介面位置，同時考慮到安裝方便性和系統相容性。覈心特徵也體現在工作條件的適應性上。 有些型號支持高溫真空烘烤工作條件，可以承受一定範圍的溫度變化而不影響密封性能； 全金屬密封模型可以適應更惡劣的使用環境，應對高壓和溫度波動帶來的挑戰。 此外，閥門在運行過程中具有很高的穩定性，在反復打開和關閉後仍能保持密封效果和平穩運動，降低了維護頻率。...
